[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：漏极电极；基板；外延层，包括：第一导电型漂移区，具有第一导电型；第二导电型井区，其中第二导电型井区与第一导电型漂移区之间具有交界；沟槽；栅极结构，设于沟槽中；源极区；第二导电型重掺杂第一区，设于第二导电型井区中，且接触第二导电型井区与第一导电型漂移区之间的交界；层间介电层；及源极电极。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一漏极电极；一基板，重掺杂有一第一导电型且电连接该漏极电极；一外延层，设于该基板上，该外延层包括：一第一导电型漂移区，具有该第一导电型，设于该基板上；一第二导电型井区，具有一第二导电型，且设于该第一导电型漂移区上且延伸至该外延层的一顶面，其中该第二导电型井区与该第一导电型漂移区之间具有一交界，且该第一导电型与该第二导电型不同；一沟槽，自该外延层的该顶面延伸穿过该第二导电型井区并进入该第一导电型漂移区中；一栅极结构，设于该沟槽中；一源极区，设于该栅极结构两侧的该第二导电型井区中，其中该源极区具有该第一导电型；一第二导电型重掺杂第一区，设于该第二导电型井区中，且接触该第二导电型井区与该第一导电型漂移区之间的该交界，其中该第二导电型重掺杂第一区具有较靠近该外延层的该顶面的一顶边以及较靠近该基板的一底边，其中该第二导电型重掺杂第一区自该第二导电型井区延伸穿过该第一导电型漂移区且进入该基板中，且该底边是位于该基板中；一层间介电层，设于该外延层上；一源极电极，与该源极区电连接；一开口，穿过该层间介电层及该源极区并暴露部分该第二导电型井区；及一第二导电型重掺杂第二区，设于该第二导电型井区暴露的部分；其中该第二导电型重掺杂第二区与该第二导电型重掺杂第一区对齐且部分该源极电极填入该开口中并与该第二导电型重掺杂第二区电连接。