[发明专利]一种硅基异质结电池的制备方法在审
| 申请号： | 201510559256.0 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106505128A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨与胜;王树林 | 申请（专利权）人： | 钧石(中国)能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法，其包括提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物；在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。本发明去除了种子铜层上的残留物，提高了太阳能器件可靠性和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基异质结 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物；在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钧石(中国)能源有限公司，未经钧石(中国)能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510559256.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
