[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具备：第一导电型的第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域的一部分之上，具有低于所述第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度；第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域之上；第一绝缘层，设置在所述第一半导体区域的另一部分之上，与所述第三半导体区域相接，且包围所述第一半导体区域的所述一部分、所述第二半导体区域及所述第三半导体区域的至少一部分，且所述第一绝缘层包含：第一部分，包围所述第二半导体区域的至少一部分及所述第三半导体区域的至少一部分，及第二部分，与所述第一部分在与从所述第二半导体区域朝向所述第三半导体区域的第一方向正交的方向上分离地设置，且包围所述第一部分的至少一部分；以及第一绝缘区域，设置在所述第一部分与所述第二部分之间；且在所述第二部分的与所述第一绝缘区域相反侧，没有设置半导体区域。