[发明专利]一种超高压电子铝箔的化成方法有效
申请号: | 201510549878.5 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN105154952B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 杨小飞;张传超;蔡小宇;熊传勇;温连娇 | 申请(专利权)人: | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C25D11/12 | 分类号: | C25D11/12;H01G9/055;H01G9/045 |
代理公司: | 广西南宁汇博专利代理有限公司45114 | 代理人: | 兰如康 |
地址: | 542899 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 一种超高压电子铝箔的化成方法,是将经过电解腐蚀处理后的铝箔分别进行一级化成、二级化成、三级化成和四级化成,得到900~1200V的化成铝箔,产品性能稳定,升压时间小于120s,产品漏电流小于15µA/cm2。本发明方法简便,成本低廉,适合大量制备超高压电子铝箔。 | ||
搜索关键词: | 一种 超高压 电子 铝箔 化成 方法 | ||
【主权项】:
一种超高压电子铝箔的化成方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将经过电解腐蚀处理后的铝箔置于含十聚甘油单油酸酯0.05‑0.45%和癸二酸0.02‑0.3%的乙醇或水溶液中,在50‑70℃下超声30‑90 s,得到一级铝箔;(2)将一级铝箔置于含对硝基苯甲酸铵0.06‑0.18%的水溶液中,化成电压250‑320 V、化成温度70‑85℃、化成时间12‑18 min,得到二级铝箔;(3)将二级铝箔置于含磷酸氢二铵0.06‑0.14%和噻吩‑2‑硼酸铵0.01‑0.05%的水溶液中,化成电压400‑650 V、化成温度75‑85℃,化成时间10‑15 min,得到三级铝箔;(4)将三级铝箔置于含硼酸1‑6%、噻吩‑2‑硼酸0.8‑1.8%、癸二酸1.2‑2%、对硝基苯甲酸0.2‑0.9%、磷酸0.05‑0.4%、氨水0.7‑2.2%、2,3‑丁二醇0.25‑0.75%、山梨醇0.15‑0.6%、苯甲醇0.8‑1.2%、聚乙二醇0.05‑0.15%、聚乙烯醇0.02‑0.08%、聚甘油单油酸酯0.01‑0.04%和纯水的超高压铝箔形成液中,化成电压900‑1200 V、化成温度85‑95℃,化成时间10‑35 min,得到超高压电子铝箔。
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