[发明专利]存储器结构有效
| 申请号： | 201510543177.0 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486144B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/22;G11C8/10;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括N个阵列区及分别耦接至该N个阵列区的N个页缓冲区。N为等于或大于2的整数。该N个阵列区分别包括由多个存储单元构成的一个三维阵列。存储单元具有在三维阵列的一水平存储单元平面上的二相邻存储单元之间的一横向距离d。该N个阵列区分别还包括多条导线。导线设置在三维阵列之上，并耦接至三维阵列。导线具有一节距p，且p/d＝1/5～1/2。该N个阵列区及该N个页缓冲区配置在沿着导线的一延伸方向的一条线上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，包括：N个阵列区，其中N为等于或大于2的整数，该N个阵列区分别包括：由多个存储单元构成的一个三维阵列，其中这些存储单元具有在该三维阵列的一水平存储单元平面上的二相邻存储单元之间的一横向距离d；及多条导线，设置在该三维阵列之上，并耦接至该三维阵列，其中这些导线具有一节距p，且p/d＝1/5～1/2的范围内；以及N个页缓冲区，分别耦接至该N个阵列区；其中该N个阵列区及该N个页缓冲区配置在沿着这些导线的一延伸方向的一条线上；其中N为偶数，且其中该N个阵列区包括一第(2n‑1)个阵列区及一第2n个阵列区，n为1～N/2的整数；该第(2n‑1)个阵列区及该第2n个阵列区是以镜像的方式设置，该第(2n‑1)个阵列区的这些导线及该第2n个阵列区的这些导线错开配置。
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