[发明专利]一种低通态损耗IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201510542149.7 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105047706B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘江;赵哿;高明超;王耀华;何延强;吴迪;刘钺杨;乔庆楠;李晓平;董少华;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国网河北省电力公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低通态损耗IGBT及其制造方法，所述IGBT包括有源区、终端区和栅极区，所述有源区包括N‑衬底区、栅极氧化层、多晶硅栅极、P‑基区、N+发射区、P+集电区、发射极金属及集电极金属，所述有源区为元胞区，在所述有源区中设有空元胞结构。所述空元胞结构是通过牺牲元胞局部沟道形成的，所述元胞局部沟道是通过改变耐压环层、场氧层、多晶层、接触孔层中一种或几种组合而牺牲的。本发明制造方法通过在有源区引入无效元胞，改变了有源区PIN/PNP区域分布，优化IGBT元胞的电导调制效应，降低了IGBT饱和电压，提高了IGBT电流密度，降低了IGBT通态损耗。本发明制造的IGBT芯片在大功率密度、低通态损耗应用领域具有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低通态 损耗 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低通态损耗IGBT，所述IGBT包括有源区、终端区和栅极区，所述有源区包括N‑衬底区、栅极氧化层、多晶硅栅极、P‑基区、N+发射区、P+集电区、发射极金属及集电极金属，所述有源区为元胞区，其特征在于，在所述有源区中设有空元胞结构；所述空元胞结构是通过牺牲元胞局部沟道形成的；所述牺牲是改变耐压环层、场氧层、多晶层或接触孔层中的一种或几种；所述耐压环层是改变耐压环层图形，增加P‑基区的掺杂浓度，使沟道无法开启；所述多晶层是改变多晶层图形，将多晶层与栅信号隔离，形成多晶孤岛，使沟道无法开启。
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