[发明专利]基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层，离子注入工艺进行N型掺杂；在N型应变SiGe层表面生长N型Si帽层，形成增强型NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区；在其之间形成隔离沟槽；采用刻蚀工艺在NMOS栅极区表面形成双倒梯形凹槽；在NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺形成PMOS栅介质层；离子注入工艺形成PMOS源漏区；生长栅极材料形成PMOS栅极；生长栅极材料以形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件。

主权项

一种基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：(a)选取GOI衬底；(b)在所述GOI衬底上生长N型应变SiGe层，并采用离子注入工艺进行N型掺杂形成一定掺杂浓度的N型应变SiGe层；在所述N型应变SiGe层表面生长一层N型Si帽层，以形成增强型NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区；(c)在所述增强型NMOS有源区和所述耗尽型PMOS有源区之间采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；(d)光刻形成增强型NMOS栅极区，采用刻蚀工艺在所述增强型NMOS栅极区表面形成双倒梯形凹槽；(e)在所述增强型NMOS有源区和所述耗尽型PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述耗尽型PMOS有源区表面部分区域的所述氧化层，形成耗尽型PMOS栅介质层；(f)采用离子注入工艺向所述耗尽型PMOS有源区表面注入P型离子形成耗尽型PMOS源漏区；(g)在所述耗尽型PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成耗尽型PMOS栅极；(h)在所述增强型NMOS栅极区生长栅极材料以形成增强型NMOS栅极；以及(i)金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成所述基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件。