[发明专利]MEMS器件及其形成方法

摘要

一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件的形成方法包括提供第一基底；沿第一基底正面向背面刻蚀开口区的第一基底，在外围区第一基底中形成第一开口，在中心区第一基底中形成第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度；在第一开口底部和侧壁表面、第三开口底部和侧壁表面形成感光层；将第一基底正面与第二基底进行键合；在第一基底背面形成暴露出开口区第一基底背面的图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面以及第三开口底部表面的感光层。本发明提高了形成的MEMS器件的性能。

主权项

一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括开口区的第一基底，所述第一基底包括正面和与所述正面相对的背面，其中，所述开口区包括中心区以及环绕所述中心区的外围区；沿所述第一基底正面向背面刻蚀所述开口区的第一基底，在所述外围区的第一基底中形成若干第一开口，在所述中心区的第一基底中形成若干第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度，所述第一开口的深度、第三开口的深度小于第一基底的厚度；在所述第一开口底部和侧壁表面、以及第三开口底部和侧壁表面形成感光层；提供第二基底；在形成所述感光层之后，将所述第一基底正面与所述第二基底进行键合；在键合后的第一基底背面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出开口区的第一基底背面；以所述图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一基底背面向正面刻蚀所述第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面的感光层和第三开口底部表面的感光层。