[发明专利]用以增加通孔刻蚀率的光图案法有效
| 申请号： | 201510540103.1 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106257657B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 穆政昌;林正伟;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供具有多个大型通孔(例如是位于接合衬垫之下)的半导体元件，以增加通孔的开口区域比例、增加通孔刻蚀率、并避免金属层间介电层碎裂及对集成电路造成损害。通孔被定义为位于金属层间介电层中介于被隔离的一导电底基层及一导电顶部层之间的一大型开口区域。本发明还提供了具有大型通孔的半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 增加 刻蚀 图案 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：一导电底基层；一金属层间介电层，配置于该导电底基层之上，其中该金属层间介电层与该导电底基层定义一通孔，该通孔通过该金属层间介电层环绕，其中该通孔包括一导电通孔材料，该导电通孔材料接触于该导电底基层的一部分；以及一导电顶部层，配置于该金属层间介电层及该导电通孔材料上，其中接触于该导电通孔材料的该导电底基层的该部分隔离于该导电底基层的多个邻近部分，及其中接触于该导电通孔材料的该导电底基层的该部分大于该通孔，借此在接触于该导电通孔材料的该导电底基层的该部分之上提供一金属层间介电层边界于整个该通孔的周围。
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