[发明专利]源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510530224.8 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105390535B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 巫凯雄;鬼木悠丞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括在衬底中形成源极/漏极结构以及在源极/漏极结构上方形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括实施退火工艺，从而使得部分金属层与源极/漏极结构反应，以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括实施蚀刻工艺以去除金属化层上的金属层的未反应的部分，以及在金属化层上方形成接触件。此外，蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且蚀刻溶剂包括(a)第一组分，包括H2SO4、HCl、HF、H3PO4或NH4OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯、碳酸亚乙酯、碳酸二乙酯、乙腈或它们的组合。本发明实施例还涉及源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 结构 上方 具有 接触 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底中形成源极/漏极结构；在所述源极/漏极结构上方形成金属层；实施退火工艺，从而使得部分所述金属层与所述源极/漏极结构反应，以在所述源极/漏极结构上形成金属化层；实施蚀刻工艺以去除所述金属化层上的所述金属层的未反应的部分；以及在所述金属化层上方形成接触件，其中，所述蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且所述蚀刻溶剂包括：(a)第一组分，包括H2SO4、HCl、HF、H3PO4或NH4OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯(PC)、碳酸亚乙酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、乙腈或它们的组合。
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