[发明专利]一种应用于半导体等离子体处理装置的陶瓷环在审
| 申请号： | 201510527723.1 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106486332A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘忆军;杨艳;戚艳丽;宁建平 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人： | 甄玉荃,霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于半导体等离子体处理装置的陶瓷环，环内呈两层台阶式设置，第二层台阶的高度边与第一层台阶的平面不垂直，角度可以在90°到180°之间变化。在高温工艺过程中，当气体流经第二层台阶高度边时，倾斜的台阶高度边可以减小对气体流动的阻碍作用，从而改善等离子体在此处的分布，使晶圆边缘的薄膜沉积更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 半导体 等离子体 处理 装置 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种应用于半导体等离子体处理装置的陶瓷环，其特征在于，所述陶瓷环位于载物台上，陶瓷环上设有承载待处理晶圆的凹槽，所述凹槽的高度边相对于水平面不垂直。
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