[发明专利]一种耐磨热电偶的生产工艺

摘要

本发明提供一种耐磨热电偶的生产工艺，该工艺包括基底预处理、抽真空、溅射清洗、沉积薄膜，步骤（1）中对单晶硅片进行了充分的清洗，去除了表面残留物，如果表面存在残留物会导致基底表面凹凸不平，从而影响薄膜的沉积，使之无法形成连续致密的薄膜，当沉积薄膜太厚时会导致薄膜龟裂，步骤（2）对真空室进行抽真空处理，避免了真空室内残留较多的杂质空气，不仅会严重影响溅射反应，而且残留的杂质气体会与Cu和CuNi发生反应，从而影响薄膜成份。工艺最后设置了冷却步骤，主要是因为刚溅射完毕的薄膜温度较高，放置在空气中会被氧化，及时冷却会避免了这种氧化。

主权项

一种耐磨热电偶的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺步骤为：（1）基底预处理：首先将单晶硅片放入盛有丙酮溶液的烧杯中，然后放入超声波清洗机中清洗10‑15min，然后再用去离子水对基底进行超声波清洗 10‑15min，备用；（2）抽真空：将步骤（1）中备用的单晶硅片放入真空室中，打开循环冷却系统，然后开启机械泵和预抽阀门，对真空室抽真空，当真空室的真空度为2‑10Pa时，开启分子泵、电磁阀和隔断阀，同时关闭预抽阀门，直到抽至实验要求的真空度为止；（3）溅射清洗：向真空室内通入纯度为99.99‑99.999%的Ar，通过减小隔断阀调高真空室内的Ar气压 ，微波电子在磁场作用下加速回旋，从而引起共振，使Ar发生电离，产生大量的等离子体，在电场作用下高速射向基底硅片，对硅片溅射清洗时间为7‑10min；（4）沉积薄膜：将步骤（4）中溅射完毕的单晶硅片用不锈钢夹具固定在自转靶位上，继续抽真空，待达到0.5×10^‑3‑1.0×10^‑3Pa后，通入纯度为99.99‑99.999%的Ar，开启所需溅射靶位上的电源，调节电源匹配器，在电磁场共同作用下，电离出的Ar离子高速轰击靶材，溅射出来的Cu/CuNi离子在干净的基底表面，就形成了薄膜；（5）样品冷却：将步骤（4）中镀膜完成的制品送去冷却炉中，冷却1‑2h。