[发明专利]复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510520492.1 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105321806A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 胡文 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景。此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合单晶薄膜，其特征在于，所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
