[发明专利]一种光敏二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510516378.1 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106469784B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 董桂芳;李文海;李东;邱勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 任万玲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光敏二极管及其制备方法，其中光敏二极管包括基板、第一电极层、单一光敏吸收材料层和第二电极层；第一电极层设置于基板上；单一光敏吸收材料层设置于第一电极层上，且所述单一光敏吸收材料层的吸收光谱半宽峰宽度低于80nm；第二电极层设置于单一光敏吸收材料层上，与所述第一电极层电连接，且与单一光敏吸收材料层功函匹配。从而在第二电极层和单一光敏吸收材料层的界面处形成了肖特基势垒结构，仅对光谱吸收范围内的特定光产生光响应，因此本发明所述光敏二极管，仅采用单一光敏吸收材料即可实现光敏二极管的整流特性，无需再增加额外的滤光片滤除杂光以提升光敏二极管的窄波谱响应性能，节约了空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光敏 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光敏二极管，其特征在于，包括：基板(1)、第一电极层(2)、单一光敏吸收材料层(3)和第二电极层(4)；其中，所述单一光敏吸收材料层(3)为单一有机光敏材料，所述单一光敏吸收材料层(3)为方酸菁类衍生物；所述第一电极层(2)设置于所述基板(1)上；所述单一光敏吸收材料层(3)设置于所述第一电极层(2)上，且所述单一光敏吸收材料层(3)的吸收光谱半宽峰宽度低于80nm；所述第二电极层(4)设置于所述单一光敏吸收材料层(3)上，与所述第一电极层(2)电连接，且与所述单一光敏吸收材料层(3)功函匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510516378.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：一种有机光电器件制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
