[发明专利]具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的沿第一方向延伸的鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的栅堆叠，其中栅堆叠包括依次堆叠的栅介质层和金属栅层，其中，相对于金属栅层在鳍的相对两侧上的侧壁，金属栅层在鳍的顶面上的顶壁包含较高的第一类型的掺杂剂以及较高的与第一类型互补的第二类型的掺杂剂，从而金属栅层整体上呈现大致均匀的第一类型掺杂。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍；在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的栅堆叠，其中栅堆叠包括依次堆叠的栅介质层和金属栅层；利用第一类型的掺杂剂进行第一倾斜注入，其中第一倾斜注入的方向朝向金属栅层在鳍的第一侧上的侧壁；利用第一类型掺杂剂进行第二倾斜注入，其中第二倾斜注入的方向朝向金属栅层在鳍的与第一侧相反的第二侧上的侧壁；利用与第一类型互补的第二类型掺杂剂进行第三注入，其中第三注入的方向大致垂直于衬底的表面。