[发明专利]单晶硅太阳能电池的制备方法

摘要

一种单晶硅太阳能电池的制备方法,首先在制绒槽内配置制绒水溶液，然后将单晶硅片加入到上述的制绒水溶液中，停留1000‑1200S单晶硅片取出、清洗干净然后置于扩散炉内的石英舟内，采用三氯氧磷液态源作为扩散源，在800‑950℃下通过氮气带动三氯氧磷进入石英周中与硅片反应，制备PN结；进行边缘刻蚀；镀反射膜，刻蚀完成后进行丝网印刷制备成单晶硅太阳能电池。本发明具有绒面均匀、膜色和膜厚均匀、反射率低的优点。

主权项

一种单晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，处理步骤包括：(1)首先在制绒槽内配置制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1.5‑2.5％，磷酸钠的质量百分比为2‑5％，硅酸钠的质量百分比为3‑5％，异丙醇的质量百分比为2‑4.5％，乳酸200‑600ppm；将所述的制绒水溶液的温度控制在80‑90℃，然后将单晶硅片加入到上述的制绒水溶液中，停留1000‑1200s ；(2)然后将步骤(1)制绒后的单晶硅片取出、清洗干净然后置于扩散炉内的石英舟内，采用三氯氧磷液态源作为扩散源，在800‑950℃下通过氮气带动三氯氧磷进入石英周中与硅片反应，制备PN结；(3)将步骤(2)制备PN结的硅片进行边缘刻蚀，具体为将硅片置于氢氟酸与硝酸的混合溶液中进行刻蚀，其中氢氟酸与硝酸的体积比为:5‑20：1；(4)刻蚀完成后，将硅片取出并清洗干净，然后镀反射膜，具体为：将硅片装入石墨舟中，放入抽真空的沉积腔室中，然后进行第一层氮化硅的沉积：第一层氮化硅沉积温度为450℃～500℃，第一层氮化硅沉积功率为6000W～6500W，第一层氮化硅沉积气体比例为氨气与硅烷的流量比4～6:1，第一层氮化硅沉积时间为100～250s；将沉积第一层氮化硅之后的硅片进行第二层的氮化硅沉积：第二层氮化硅沉积温度为450℃～500℃，第二层氮化硅沉积功率为6000W～6500W，第二层氮化硅沉积气体比例为氨气与硅烷的流量比8～12:1，第二层氮化硅沉积时间为600～720s；(5)刻蚀完成后进行丝网印刷制备成单晶硅太阳能电池。