[发明专利]用于集成闪存器件和高k金属栅极逻辑器件的凹进的硅化物结构

摘要

本发明的一些实施例提供了用于嵌入式闪存单元的集成电路(IC)。IC包括具有存储单元栅极的闪存单元。硅化物接触衬垫布置在存储单元栅极的凹槽中。硅化物接触衬垫的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的。电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅极的顶面延伸至硅化物接触衬垫的顶面。本发明还提供了一种制造嵌入式闪存器件的方法。

主权项

1.一种用于嵌入式闪存器件的集成电路(IC)，所述集成电路包括：闪存单元，具有存储栅极，具有从所述存储栅极的侧壁突出的第一存储栅极、第二存储栅极和第三存储栅极，其中，两个伪选择栅极与所述第一存储栅极、所述第二存储栅极和所述第三存储栅极交错，所述第一存储栅极将所述第二存储栅极和所述第三存储栅极分离并且所述第一存储栅极相对于所述第二存储栅极的顶面和所述第三存储栅极的顶面具有凹进的上表面；硅化物接触衬垫，布置在所述第一存储栅极上方，其中，所述硅化物接触衬垫的顶面相对于所述第二存储栅极的顶面是凹进的；以及电介质侧壁间隔件，位于所述第一存储栅极的上表面上并且从所述第二存储栅极的顶面延伸至所述硅化物接触衬垫的顶面。