[发明专利]CMOS器件工艺中锗硅外延层的制备方法

摘要

本发明提供了一种CMOS器件工艺中锗硅外延层的制备方法，首先在半导体器件衬底上形成第一硬掩膜和第二硬掩膜，然后去除PMOS区域的第二硬掩膜，以暴露出PMOS区域；接着，对PMOS的源漏区进行离子注入，后续再刻蚀源漏区表面并进行锗硅外延生长。等离子体对PMOS的源漏区表面造成损伤，从而提高了后续刻蚀源漏区表面的刻蚀速率，源漏区表面刻蚀时间则相应减少，这样，可以减少刻蚀过程中对浅沟槽隔离结构表面的损伤，避免对浅沟槽隔离结构表面损伤太严重而暴露出PMOS的有源区表面，从而克服了现有工艺中容易在PMOS边界处生长出多余的锗硅外延层的缺陷。

主权项

1.一种CMOS器件工艺中锗硅外延层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一半导体器件衬底；所述半导体器件衬底具有NMOS和PMOS，在所述NMOS和所述PMOS之间具有浅沟槽隔离结构；在所述NMOS和所述PMOS中均具有栅极、位于所述栅极两侧底部的源漏区、位于栅极侧壁的侧墙、以及位于栅极上的第一硬掩膜；步骤02：在所述NMOS和所述PMOS的第一硬掩膜、侧墙和所述浅沟槽隔离结构表面形成第二硬掩膜；步骤03：图案化所述第二硬掩膜，从而暴露出所述PMOS和所述浅沟槽隔离结构表面；步骤04：在所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜的保护下，对所述PMOS的所述源漏区和所述浅沟槽隔离结构进行离子注入；步骤05：在所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜的保护下，对所述PMOS的所述源漏区进行刻蚀，以在所述PMOS的所述源漏区表面形成沟槽；步骤06：在所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜的保护下，在所述沟槽中进行锗硅外延生长，从而形成锗硅外延层。