[发明专利]双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法有效
| 申请号: | 201510511276.0 | 申请日: | 2015-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN105118796B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
| 发明(设计)人: | 宣荣喜;腾飞;苗渊浩;张鹤鸣;胡辉勇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法,该方法包括(1)将所述MOS芯片固定在所述下支架(a)和所述上支架(b)之间;(2)测试所述MOS芯片未施加双轴应力前的第一输出特性曲线;(3)将所述顶头(c)放置在位于所述上支架(b)中间的第一螺孔中;(4)将所述精密螺杆组件(d)设置于所述上支架(b)上;(5)沿某一方向旋转螺杆转轴以对所述MOS芯片施加双轴应力;(6)固定所述顶头(c),拆卸所述精密螺杆组件(d),并测试所述MOS芯片施加双轴应力后的第二输出特性曲线;(7)对比所述第一输出特性曲线和所述第二输出特性曲线,以获得测试结果。 | ||
| 搜索关键词: | 应力 施加 装置 应变 mos 芯片 输出 特性 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种双轴应力施加装置,其特征在于,包括:下支架(a)、上支架(b)、顶头(c)及精密螺杆组件(d);其中,所述下支架(a)位于所述双轴应力施加装置的下方且包括中空结构的第一圆柱体和位于两端的两个第一长方体,所述第一长方体的一端与所述第一圆柱体的外表面紧密相连,在所述第一长方体的中间设有两个第一沉孔用于使用螺钉将所述上支架(b)和所述下支架(a)相连;所述上支架(b)位于所述下支架(a)的上方且包括中空结构的第二圆柱体和位于两端的两个第二长方体,所述第二长方体的一端与所述第二圆柱体的外表面紧密相连,在所述第二长方体的中间设有两个第二沉孔,在所述第二圆柱体内部过其截面圆的圆心位置处设置有与所述第二圆柱体内部紧密相连的横杆,所述横杆上设有三个第一螺孔,在所述上支架(b)的三个所述第一螺孔中,位于两端的所述第一螺孔的开孔方向为垂直方向,位于中间位置的所述螺孔为两个开孔方向,且分别为垂直和水平方向,施加双轴应力后,利用两个小螺钉分别同时穿过水平开孔方向的螺孔对顶头进行固定以保持双轴应力;所述顶头(c)位于所述上支架(b)中间的第一螺孔中且为一个球体与圆柱体滚花的结合结构,顶头的下半部分为半球体,上半部分为圆柱体;所述精密螺杆组件(d)位于所述上支架(b)的正上方且为长方体形状,包括一螺杆转轴,在所述精密螺杆组件(d)的设有三个第二螺孔,位于两侧的所述第二螺孔分别用于与所述上支架(b)位于两侧的所述第一螺孔通过螺钉固定,位于中间的所述第二螺孔用于与所述螺杆转轴相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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