[发明专利]一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 201510508067.0 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105118860A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李述体;宋伟东;王汝鹏;胡文晓 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底，使得凹槽图形长度、宽度、深度可控，从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上制备HEMT器件，相对于通过剥离衬底获得微纳材料或者单根一维材料的转移衬底的方法制备集成器件，本发明有效简化了工艺步骤，更利于实际应用。本发明可广泛应用于半导体器件领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 有序 gan 纳米 阵列 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT，其特征在于：包括衬底、刻蚀在衬底正面的多个等间距排列的凹槽和呈长条状的漏极和源极，各所述凹槽的侧壁上生长有纳米线形成纳米线阵列，所述衬底上设有掩膜层，所述漏极和源极分别设于纳米线阵列的两端并与各纳米线垂直连接，所述衬底背面制备有栅介质层，所述栅介质层下方形成有栅极；各所述凹槽内的纳米线之间填充有绝缘介质材料，形成绝缘介质层。
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