[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510504146.4 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105206676B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;三宅博之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施例包括一种用于晶体管的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主(施主)的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够通过控制设置于关于氧化物半导体层的彼此相对的两侧上的一对导电膜的电位来控制，它们各自具有绝缘膜布置于它们之间，使得形成于氧化物半导体层中的沟道的位置得以确定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n基板之上的包括第一晶体管和第二晶体管的反相器，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：/n第一电极层；/n与所述第一电极层相邻的氧化物半导体层，第一绝缘膜夹在所述第一电极层和所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包含铟、锌和选自镓、铝、锰、钴及锡中的一种或多种金属元素；/n所述氧化物半导体层上的第二电极层；/n所述氧化物半导体层上的第三电极层；以及/n所述第一电极层之上的第四电极层，至少所述氧化物半导体层和第二绝缘膜夹在所述第一电极层和所述第四电极层之间，/n其中所述第一晶体管的所述第三电极层与所述第二晶体管的所述第二电极层电连接，/n其中所述第二晶体管的所述第四电极层与所述第二晶体管的所述第二电极层电连接，/n其中所述第一晶体管的所述氧化物半导体层和所述第二晶体管的所述氧化物半导体层分别在各自的浅表部分中包括结晶区，/n其中信号输入到所述第一晶体管的所述第四电极层，/n其中所述第二晶体管的所述第四电极层与所述第二晶体管的所述第二电极层电连接，/n其中第一恒定电压施加到所述第一晶体管的所述第一电极层，/n其中第二恒定电压施加到所述第二晶体管的所述第四电极层，并且/n其中所述第一恒定电压和所述第二恒定电压彼此不同。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510504146.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于开窍醒脑中药醒脑静鼻腔给药制剂及其制备方法
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
