[发明专利]白光QLED器件及制备方法在审
| 申请号： | 201510500502.5 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105070802A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈亚文;付东 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种白光QLED器件及制备方法。所述白光QLED器件，包括基板、短波长QLED器件和薄膜封装层，还包括光取出层，且所述短波长QLED器件层叠设置在所述基板的一表面，所述薄膜封装层层叠设置在所述短波长QLED器件上，所述光取出层设置在所述基板与所述短波长QLED器件层叠设置面的相对面上，其中，所述光取出层中含有光致发光量子点和聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 qled 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种白光QLED器件，包括基板、短波长QLED器件和薄膜封装层，其特征在于，还包括光取出层，且所述短波长QLED器件层叠设置在所述基板的一表面，所述薄膜封装层层叠设置在所述短波长QLED器件上，所述光取出层设置在所述基板与所述短波长QLED器件层叠设置面的相对面上，其中，所述光取出层中含有光致发光量子点和聚合物。
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