[发明专利]栅极硬掩模层的去除方法

摘要

本发明公开了一种栅极硬掩模层的去除方法，在栅极顶部和侧墙硬掩模层去除前，通过增加一步薄膜沉积和化学机械研磨形成一层保护层，将栅极和栅极两侧的硬掩模层覆盖，仅暴露出栅极顶部的硬掩模层，然后采用热磷酸将栅极顶部的硬掩模层去除，再使用氧气灰化或DHF湿法刻蚀去除保护层，最后通过热磷酸将栅极两侧的硬掩模层减薄或者去除。本发明可以降低在硬掩模去除时对栅极两侧的过刻蚀导致的多晶硅栅的消耗，避免了沟道长度变小导致的器件参数的漂移等影响，提高了器件的可靠性。

主权项

1.一种栅极硬掩模层的去除方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一硅片，所述硅片具有NMOS区域以及PMOS区域，所述NMOS区域具有第一栅极以及第一栅极顶部的第一硬掩模层，所述NMOS区域还覆盖有第二硬掩模层，所述第二硬掩模层还覆盖于所述第一栅极的两侧和第一硬掩模层之上，所述PMOS区域具有第二栅极以及第二栅极顶部的第三硬掩模层、两侧的第四硬掩模层侧墙和第四硬掩模层侧墙两侧的锗硅填充区域，其中，所述第一硬掩模层与第二硬掩模层采用不同的材质；步骤S02，在所述硅片表面沉积一层保护层；步骤S03，去除所述第一栅极顶部的第二硬掩模层，露出所述第一栅极顶部的第一硬掩模层和第二栅极顶部的第三硬掩模层；步骤S04，去除露出的所述第一栅极顶部的第一硬掩模层和第二栅极顶部的第三硬掩模层；步骤S05，去除所述保护层；步骤S06，去除所述NMOS区域表面以及第一栅极两侧的第二硬掩模层、第二栅极两侧的第四硬掩模层。