[发明专利]半色调相移光掩模坯料及其制备方法

摘要

半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°‑200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。

主权项

1.半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和在其上的半色调相移膜，所述半色调相移膜由硅和氮，或者硅、氮和氧组成，并且相对于波长200nm以下的光提供150°‑200°的相移,所述半色调相移膜为满足式(1)的单层或由全部满足式(1)的层组成的多层膜：2×O/Si+3×N/Si≥3.5  (1)其中Si为硅的原子％含量，N为氮的原子％含量，且O为氧的原子％含量，氮含量为53原子％以下。