[发明专利]一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路在审
| 申请号： | 201510476899.9 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105024684A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 方健;刘力荣;任少东;姚易寒;钟皓月 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用电阻做负载，本发明的电平位移电路使用电容做负载，提高了高压电平位移电路的噪声免疫能力。本发明的有益效果为，本设计采用自反馈的方式控制负载电容充放电，简化了电路结构，缩小了电路面积，降低了电路功耗，减小了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 噪声 干扰 特性 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路，该电路由第一LDMOS管(LDMOS1)、第二LDMOS管(LDMOS2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一齐纳二极管(D1)、第二齐纳二极管(D2)、第一缓冲器(B1)和第二缓冲器(B2)构成；其中，第一LDMOS管(LDMOS1)的栅极接第一输入信号，其漏极接第一PMOS管(MP1)的漏极，其源极接地；第一PMOS管(MP1)的栅极接第一缓冲器(B1)的输出端，其源极接高端浮动电源VB；第一缓冲器(B1)的输入接第一电容(C1)的一端和第一齐纳二极管(D1)的正极；第一电容(C1)的另一端和第一齐纳二极管(D1)的负极接高端浮动电源VB；第一缓冲器(B1)的输入端、第一电容(C1)的一端、第一齐纳二极管(D1)的正极和第一PMOS管(MP1)漏极的连接点为第一输出端；第二LDMOS管(LDMOS2)的栅极接第二输入信号，其漏极接第二PMOS管(MP2)的漏极，其源极接地；第二PMOS管(MP2)的源极接高端浮动电源VB，其栅极接第二缓冲器(B2)的输出端；第二缓冲器(B2)的输入端接第二电容(C2)的一端和第二齐纳二极管(D2)的正极；第二电容(C2)的另一端和第二齐纳二极管(D2)的负极接高端浮动电源VB；第二缓冲器(B2)的输入端、第二电容(C2)的另一端、第二齐纳二极管(D2)的正极和第二PMOS管(MP2)的漏极为第二输出端。
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