[发明专利]一种含Sm、纳米Mo的芯片堆叠互连材料有效
| 申请号： | 201510476864.5 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105140204A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张亮;范希营;闵勇 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 周爱芳 |
| 地址： | 221116 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含Sm、纳米Mo的芯片堆叠互连材料，属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土元素Sm含量为0.01～0.5％，纳米Mo颗粒为3～8％，其余为In。首先采用机械研磨制备In-Sm中间合金粉末，其次混合In-Sm粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Mo颗粒，充分搅拌制备膏状含Sm和纳米Mo颗粒的互连材料，采用喷印工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性，可用于三维封装芯片堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sm 纳米 mo 芯片 堆叠 互连 材料 | ||
【主权项】：
一种含Sm、纳米Mo的芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素Sm含量为0.01～0.5％，纳米Mo颗粒为3～8％，其余为In。
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