[发明专利]硅块、其生产方法、适于实施该方法的透明或不透明熔融硅石的坩埚及其生产方法有效
| 申请号： | 201510470122.1 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105316761B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | C.申克;G.沙伊希;N-C.尼尔森;W.莱曼;B.弗罗伊登贝格;K.达德齐斯;S.纳多尔尼;F.沃尔尼;G.菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李连涛;石克虎 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了硅块、其生产方法、适于实施该方法的透明或不透明熔融硅石的坩埚及其生产方法。在用于生产具有矩形形状的用于硅的晶体生长法中的太阳能坩埚的已知方法中，其包括提供包含内壁的透明或不透明熔融硅石的坩埚基体，提供含有无定形SiO2颗粒的分散体，通过使用该分散体以至少0.1 mm的层厚度将含SiO2浆料层施加至至少一部分的内壁上，干燥浆料层从而形成含SiO2颗粒层并使该含SiO2颗粒层热致密化以形成扩散阻挡层。由此开始，为了提供用于生产太阳能坩埚的廉价方法，所述太阳能坩埚使得可能生长高纯度硅块并具有很少的材料损失，本发明建议所述分散体包含分散液和形成粒度为1μm至50μm的粗粒级和粒度小于100 nm的SiO2纳米颗粒的细粒级的无定形SiO2颗粒，其中基于分散体的固体含量，所述SiO2纳米颗粒的重量百分数为2至15 wt%，并且仅通过在晶体生长法中加热硅使含SiO2颗粒层热致密化为扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 分散体 太阳能坩埚 不透明 硅石 熔融 晶体生长法 扩散阻挡层 纳米颗粒 生产 无定形 硅块 内壁 坩埚 透明 材料损失 干燥浆料 高纯度硅 矩形形状 热致密化 坩埚基体 层厚度 粗粒级 分散液 浆料层 热致密 细粒级 加热 施加 生长 | ||
【主权项】：
1.用于生产具有矩形形状的用于硅的晶体生长法中的太阳能坩埚的方法，其包括提供包含内壁的透明或不透明熔融硅石的坩埚基体，提供含有无定形SiO2 颗粒的分散体，通过使用所述分散体以至少0.1 mm的层厚度将含SiO2 浆料层施加至至少一部分内壁上，干燥所述浆料层以使形成含SiO2颗粒层并且使所述含SiO2颗粒层热致密化从而形成扩散阻挡层，其特征在于：(a) 所述分散体含有分散液和形成粒度为1 μm至50 μm的粗粒级和粒度小于100 nm的SiO2纳米颗粒的细粒级的无定形SiO2颗粒，其中基于所述分散体的固体含量，所述SiO2纳米颗粒的重量百分数为2至15 wt%，且其中由粒度小于100 nm的SiO2纳米颗粒组成的细粒级占浇注表皮的大于70%的体积比，(b) 和通过在所述晶体生长法中加热硅，使含SiO2颗粒层热致密化为扩散阻挡层。
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