[发明专利]一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法有效
| 申请号： | 201510470018.2 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105006427B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张志荣;尹甲运;房玉龙;芦伟立;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤1）采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温；2）在衬底上生长一层低温氮化物形核层；3）退火，实现形核层结晶；4）升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓；5）停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温；6）继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度；7）在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构。本发明利用低温过渡层有效降低氮化镓外延层位错密度，提高氮化镓晶体质量，进而提高氮化镓基器件的使用寿命及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 低温 过渡 生长 质量 氮化 外延 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温；2）在衬底上生长一层低温氮化物形核层；3）退火，实现形核层结晶；4）升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓；5）停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温；6）继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度；7）在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构；所述步骤5）中降温速率为0～1000℃/s，温度为20℃～1000℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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