[发明专利]一种压力传感器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510469367.2 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105070823A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张敬维;曾瑞雪;吴东平 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体传感器技术领域，具体为一种压力传感器件及其制备方法。本发明的压力传感器件包括至少一个场效应晶体管、一个压电控制栅；所述场效应晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；所述压电控制栅包括压电薄膜、压电薄膜的上表面电极、压电薄膜的下表面电极、介于所述场效应晶体管栅极与压电薄膜的下表面电极之间的连接电极。本发明所提出的压力传感器件用作压力信号的感知，具有制作工艺简单、单元面积小、芯片集成度高、对压力的灵敏度高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器件，其特征在于，包括一个场效应晶体管和一个压电控制栅；其中：所述场效应晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；所述压电控制栅包括压电薄膜、压电薄膜的上表面电极、压电薄膜的下表面电极、介于所述场效应晶体管栅极与压电薄膜的下表面电极之间的连接电极。
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