[发明专利]一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷及制备方法有效
| 申请号： | 201510469202.5 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104973857B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 胡星;程子凡;凌志远 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/447;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤(1)以Li2CO3、聚磷酸铵、MgO、SiO2为原料，按Mg2SiO4‑LiMgPO4分子式配料混合，球磨并烘干后，预烧制得Mg2SiO4‑LiMgPO4陶瓷粉末；(2)将Mg2SiO4‑LiMgPO4、TiO2粉体按分子式mMg2SiO4‑nLiMgPO4‑pTiO2配料混合，球磨并烘干后，添加粘结剂造粒后，模压成型，烧结得致密介质陶瓷。本发明的聚阴离子型微波介质陶瓷的介电常数为6～11，品质因数Qf＞18,000GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚阴离子 微波 介质 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以纯度为99％以上的Li2CO3、聚磷酸铵、MgO、SiO2为原料，按Mg2SiO4‑LiMgPO4分子式配料混合，球磨并烘干后，分别在800℃～1000℃空气中预烧3～4小时制得Mg2SiO4‑LiMgPO4陶瓷粉末；(2)将Mg2SiO4‑LiMgPO4、TiO2粉体按分子式mMg2SiO4‑nLiMgPO4‑pTiO2配料混合，球磨并烘干后，添加粘结剂造粒后，模压成型，在1050～1125℃，大气气氛下烧结2～3小时制备出致密介质陶瓷；其中，35％摩尔≤m≤50％摩尔，35％摩尔≤n≤50%摩尔，0％摩尔≤p≤30％摩尔；所述低介电常数的范围为6～11。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510469202.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
