[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中晶体管，包括半导体衬底，位于半导体衬底内的凹槽；位于凹槽的侧壁表面上的隔离层；填充满凹槽的第一外延层；位于第一外延层两侧的半导体衬底上的第二外延层，所述第二外延层表面的高于第一外延层的表面；位于第一外延层和第二外延层上的非掺杂的第三外延层；位于第一外延层正上方的第三外延层表面上的栅介质层和位于栅介质层上的栅电极；位于栅介质层和栅电极两侧的第三外延层内和部分第一外延层内的浅掺杂区；位于栅电极和栅介质层的侧壁表面的侧墙；位于栅电极和侧墙两侧的第三外延层、第二外延层和半导体衬底内的深掺杂区，深掺杂区的深度大于浅掺杂区的深度。本发明的晶体管减少了短沟道效应的产生。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有凹槽；在所述凹槽的侧壁表面上形成隔离层；形成填充满凹槽的第一外延层，所述第一外延层覆盖所述侧墙，且所述第一外延层的表面高于半导体衬底的表面；在所述第一外延层两侧的半导体衬底上形成第二外延层，所述第二外延层表面的高于第一外延层的表面；对第一外延层和第二外延层进行掺杂；在所述第一外延层和第二外延层上形成非掺杂的第三外延层；在所述第一外延层正上方的第三外延层表面上形成栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，所述栅电极的宽度小于凹槽的宽度；以所述栅电极为掩膜，进行浅掺杂离子注入，在栅介质层和栅电极两侧的第三外延层内和部分第一外延层内形成浅掺杂区；在所述栅电极和栅介质层的侧壁表面形成侧墙；以所述栅电极和侧墙为掩膜，进行深掺杂离子注入，在所述栅电极和侧墙两侧的第三外延层、第二外延层和半导体衬底内形成深掺杂区，深掺杂区的深度大于浅掺杂区的深度。