[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面具有至少一个焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成通孔，所述通孔的底部暴露焊盘的表面；在所述半导体衬底的第二表面以及通孔的侧壁和底部表面形成种子层；在所述种子层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有暴露出通孔以及半导体衬底第二表面上部分种子层的开口；采用电镀工艺在所述开口内的种子层表面形成再布线金属层；去除所述掩膜层；进行浸润步骤，刻蚀装置中的夹持单元使得半导体衬底中形成的通孔的开口朝下，所述夹持单元使得半导体衬底旋转，稀释液从下向上喷吐到种子层和再布线金属层的表面，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，进行化学刻蚀步骤时，所述半导体衬底中形成的通孔的开口仍是朝下，半导体衬底仍是旋转，刻蚀溶液从下向上喷吐到种子层和再布线金属层的表面，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤，直至完全去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的种子层。