[发明专利]沟槽型超级结器件的超级结结构有效
| 申请号： | 201510458488.7 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140268B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型超级结器件的超级结结构，在硅衬底上有上层及下层的双层外延，多个平行沟槽穿通上层外延底部位于下层外延中，下层外延的浓度高于上层外延，上层外延的厚度决定了器件的耐压能力。本发明通过上下两层不同厚度和浓度的外延层，上层外延层主要提供耐压能力，下层外延浓度高于上层外延浓度，通过上下两层外延的浓度比例控制来补偿沟槽深度不均匀而导致的耐压性能的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 超级 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型超级结器件的超级结结构，其特征在于：硅衬底上有上层及下层的双层外延，多个平行沟槽穿通上层外延底部位于下层外延中；所述下层外延的掺杂浓度高于上层外延的掺杂浓度，下层外延的掺杂浓度为上层外延的浓度的1.5～10倍；所述上层外延的厚度由器件所需的击穿电压确定：![]()
所述下层外延的厚度由沟槽的底部到硅衬底的距离来决定，该距离为沟槽型超级结原胞内沟槽之间间距的50～100％。
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