[发明专利]一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路有效

专利信息
申请号: 201510456744.9 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN106411297B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 周哲;赵波;任西周;刘海军;宋洁;彭傊;田鑫;赵鹏程;刘宗烨 申请(专利权)人: 国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102211 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,包括饱和监测电路,以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路;驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接;饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端;第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接,第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接,输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比,本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,充分利用绝缘体上芯片的高温性能,极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。
搜索关键词: 一种 基于 绝缘体 芯片 高温 驱动 保护 电路
【主权项】:
1.一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,其特征在于,所述高温驱动保护电路包括饱和监测电路,以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路;所述驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接;所述饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端;所述第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接,第二输入端与所述碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接,输出端分别与所述隔离电路和保护逻辑电路连接;所述保护逻辑电路包括第一二极管、第二二极管、第一反相器和第二反相器;所述第一二极管的阴极与第一反相器的输入端连接,阳极分别与隔离电路和饱和监测电路连接;所述第二二极管的阴极与第二反相器的输入端连接,阳极与PWM脉冲调理电路连接;所述第一反相器的输入端与第二反相器的输出端连接,第一反相器的输出端与驱动电路连接,向其输出PWM Enable信号,用于控制驱动电路对PWM脉冲信号进行响应;所述第二反相器的输入端与第一反相器的输出端连接,第二反相器的输出端也与驱动电路连接,向其输出Soft Turn‑off信号,用于控制驱动电路进行软关断操作;所述驱动电路包括半桥驱动器、第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管;所述半桥驱动器的输入端接收所述保护逻辑电路连接发送的PWM Enable信号,输出端分别与第一场效应管的栅极和第二场效应管的栅极连接;所述第一场效应管的源极与所述碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子连接;所述第二场效应管的漏极也与所述碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子连接;所述第三场效应管的栅极接收保护逻辑电路发送的Soft Turn‑off信号,漏极连接于第二场效应管的漏极与所述栅极端子之间,源极接地;其中,PWM Enable信号:PWM输出使能信号;PWM:脉冲宽度调制;Soft Turn‑off信号:软关断信号。
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