[发明专利]智能半导体开关有效
| 申请号： | 201510454231.4 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105322935B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | D·I·莫海;I-I·克里斯特;A·芬尼;B-E·马泰;A·科布扎鲁 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个实施方式涉及智能半导体开关。一种半导体器件包括利用第一类型的掺杂剂进行掺杂的半导体衬底、以及由一个或多个晶体管单元所组成的垂直晶体管。每个晶体管单元具有形成于该衬底之中并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂的第一区，并且该第一区与周围衬底一起形成第一pn结。至少一个第一阱区形成于该衬底中，并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂，以与该衬底一起形成第二pn结。该第一阱区经由半导体开关电连接至该垂直晶体管的第一区。该半导体器件包括检测电路，其集成于该衬底之中并且被配置为检测该第一pn结是否被反向偏置。该开关在该第一pn结被反向偏置时断开，并且该开关在该第一pn结未反向偏置时闭合。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体开关 反向偏置 掺杂剂 第一区 半导体器件 垂直晶体管 晶体管单元 掺杂的 阱区 闭合 检测电路 智能 电连接 断开 半导体 掺杂 检测 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，利用第一类型的掺杂剂进行掺杂；垂直晶体管，由一个或多个晶体管单元组成，每个晶体管单元具有形成在所述半导体衬底中并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂的第一区，所述第一区与周围的所述半导体衬底一起形成第一pn结；至少一个第一阱区，形成在所述半导体衬底中、并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂，以与所述半导体衬底一起形成第二pn结，所述第一阱区经由半导体开关电连接至所述垂直晶体管的所述第一区；以及检测电路，集成在所述半导体衬底中，其中所述检测电路检测所述第一pn结是否被反向偏置，其中所述半导体开关在所述第一pn结被反向偏置时闭合，并且所述半导体开关在所述第一pn结未被反向偏置时断开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510454231.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
