[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供一种具有弯角布局的半导体元件，包括衬底、具有第一导电型的掺杂区以及具有第二导电型的多个条状掺杂区。掺杂区位于衬底中。条状掺杂区位于掺杂区中。具有扇形或三角形形状的条状掺杂区位于在弯角区中，以提升半导体元件的击穿电压。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底，具有第一区、第二区以及第三区，其中所述第一区围绕所述第二区与所述第三区，且所述第二区与所述第三区相邻；具有第一导电型的掺杂区，位于所述衬底中；具有第二导电型的多个第一条状掺杂区，位于所述第一区的所述掺杂区中；具有所述第二导电型的多个第二条状掺杂区，位于所述第二区的所述掺杂区中，其中所述多个第二条状掺杂区沿着第一方向交替排列；以及具有所述第二导电型的多个第三条状掺杂区，位于所述第三区的所述掺杂区中，其中所述多个第三条状掺杂区包括：第一部分，具有第一端与第二端；第二部分，与所述第一部分的所述第一端相连，所述第二部分的所述多个第三条状掺杂区沿着第二方向交替排列；以及第三部分，与所述第一部分的所述第二端相连，所述第三部分的所述多个第三条状掺杂区沿着所述第一方向交替排列，其中所述第一方向与所述第二方向不同。