[发明专利]一种带隙基准电路在审
申请号: | 201510450620.X | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN106708147A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 付烟林 | 申请(专利权)人: | 付烟林 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56;G05F1/567 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054 四川省成都市成华区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于模拟集成电路技术领域,涉及一种带隙基准电路,包含一个反相放大单元A1和带隙核心电路,带隙核心电路采用一种误差放大器和基准相混合结构,进而不需要额外的误差放大器,减小误差放大器输入失调对基准电压的影响。误差放大器和基准相混合结构中利用PNP管电流镜保证两路电流匹配,同时,所述PNP电流镜的发射极-基极电压VBE也用来产生基准电压,合适的电路参数选取后,可以得到约2.4V的基准电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准电路,其特征在于:包含一个反相放大单元和带隙核心电路;所述反相放大单元能够反相放大其输入端信号,所述反相放大单元输出端为基准电压,所述反相放大单元输入端电流可以忽略不计;所述带隙核心电路包括电阻R1、R2、R2、R3、R4、R5、R6,NPN管Q1、Q2,PNP管Q3、Q4。其中R1的一端接地,另一端接Q1的发射极,Q1的集电极接Q3的集电极,Q1的基极接R2的一端,R2的另一端接Q2的集电极也R3的其中一端,R3的另一端接Q3和Q4的基极,其中Q2的发射极接地,Q2的基极接Q3和Q4的基极,Q3发射极接R4的一端,R4的另一端接R5和R6的一端,R5的另一端接Q4的发射极,R6的另一端接反相放大单元A1的输出端,反相放大单元A1的输入端接Q1的集电极。
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