[发明专利]一种DV/DT检测与保护装置及方法

摘要

本发明公开了一种DV/DT检测与保护装置及方法，包括DV/DT检测电路，用于检测DV/DT的电压变化量；该电路包括若干个高压MOS管、电阻、箝位二极管及寄生电容，其中高压MOS管栅端接入输入信号，该高压MOS管的漏端连接电阻且源端接公共地；所述电阻的两端连接箝位二极管；所述寄生电容连接于高压MOS管的漏端和源端之间；DV/DT比较电路，用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别，及配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号；输出驱动调整电路，用于根据控制信号调整及输出不同工作模式下的驱动能力，以确保功率器件工作在安全DV/DT范围内。本发明电路实现方式简单，可靠性和集成度高，不需要额外的外围器件，适用于桥式电路、智能功率模块等各种应用。

主权项

一种DV/DT检测与保护装置，其特征在于，包括：DV/DT检测电路，用于检测DV/DT的电压变化量；所述DV/DT检测电路包括：第一高压MOS管(MA1)，第二高压MOS管(MA2)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第一箝位二极管(MA1)，第二箝位二极管(MA2)，第一寄生电容(Cpar1)和第二寄生电容(Cpar2)；所述第一高压MOS管(MA1)栅端接第一输入信号(IN1)，漏端接所述第一电阻(R1)一端，所述第一电阻(R1)的另一端接浮动电源(VB)；所述第一高压MOS管(MA1)源端接公共地(VSS)，所述第一箝位二极管(D1)两端接所述第一电阻(R1)的两端；所述第二高压MOS管(MA2)栅端接第二输入信号(IN2)，漏端接所述第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)的另一端接浮动电源(VB)；所述第二高压MOS管(MA2)源端接公共地(VSS)，所述第二箝位二极管(D2)两端接所述第二电阻(R2)的两端；所述第一寄生电容(Cpar1)接所述第一高压MOS管(MA1)的漏端和源端，所述第二寄生电容(Cpar2)接所述第二高压MOS管(MA2)的漏端和源端；DV/DT比较电路，用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别，及根据DV/DT级别配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号；所述DV/DT比较电路包括若干个比较电平及与之连接的窗口比较器，所述窗口比较器在DV/DT检测电路中电阻的电压变化量都满足比较电平时，配置控制信号输出；输出驱动调整电路，用于根据控制信号配置工作模式及输出驱动能力，以确保功率器件工作在安全DV/DT范围内。