[发明专利]一种抗高温氧化的读出电路引出电极及其制备方法有效
| 申请号: | 201510449310.6 | 申请日: | 2015-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN105070786B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
| 发明(设计)人: | 杨春丽;胡旭;姬荣斌;韩福忠;李京辉;吴思晋;汤金春;张敏;王冰 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 昆明正原专利商标代理有限公司53100 | 代理人: | 徐玲菊,于洪 |
| 地址: | 650223 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及热释电混合式非制冷焦平面探测器的读出电路引出电极及其制备方法,具体涉及一种可以具有抗高温氧化特性的引出电极,阻止读出电路的Al引出电极在高温工艺中的热扩散和氧化。读出电路引出电极为复合结构,本发明在硅工厂加工完的读出电路上,依次分别制备Ti金属层或Cr金属层、Pa金属层或Pt金属层、Au金属层或Ti金属层,最终形成的引出电极为四层结构复合电极。本发明不仅实现了与Al电极的欧姆接触,同时在后续凸台制备过程中四层复合引出电极具有抗高温氧化特性,具有较强的工艺兼容性,保证了探测器的信号有效读出,有效提高了探测器组件的成品率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高温 氧化 读出 电路 引出 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗高温氧化的读出电路引出电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤a,读出电路清洗:读出电路从硅工厂流片完成后,引出电极为Al金属层,以读出电路为衬底,依次利用甲苯、丙酮和乙醇各超声清洗三遍,清洗至读出电路表面无多余物,然后用氮气吹干残留的液体;步骤b,光刻、腐蚀电极孔:在步骤a所得读出电路上,以2500~3500转/分钟的转速,涂30秒的光刻胶AZ6130,涂胶厚度2~3μm,然后在80℃下烘烤2~3分钟;利用光刻机曝光,采用AZ300MIF的显影液进行显影,控制显影时间使得电极孔的光刻胶显影干净的同时,Al金属层被腐蚀掉500‑800Å;步骤c,复合电极溅射:利用多靶磁控溅射镀膜机,在已完成步骤b的读出电路上依次溅射500‑600Å的Cr金属层,2000‑2100Å的Pa金属层或Pt金属层、500‑600Å的Au金属层或Ti金属层;步骤d,剥离清洗:将经步骤c溅射的读出电路放入丙酮里充分浸泡2.5小时以上,利用频率为40KHz、超声功率60W~80W的低功率超声清洗机超声清洗至覆盖在读出电路上的光刻胶全部剥离清洗干净,剥离形成四层结构复合读出电路引出电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所,未经昆明物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510449310.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





