[发明专利]激光脉冲溅射沉积制备Ni-Mn-Co-In合金薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201510446289.4 申请日: 2015-07-27
公开(公告)号: CN105296925B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 董桂馥 申请(专利权)人: 大连大学
主分类号: C23C14/18 分类号: C23C14/18;C23C14/34
代理公司: 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 代理人: 胡景波
地址: 116622 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供了一种激光脉冲溅射沉积制备Ni‑Mn‑Co‑In合金薄膜的方法。该合金薄膜的结构通式为Ni50Mn34In16‑XCoX,通式中x=0、2、4、6,该薄膜按如下方法制备:按配比取Ni、Mn、Co、In金属单质作为靶材原料,将靶材原料放置于非自耗真空电弧炉熔内熔炼,电弧炉内抽真空至5×10‑3Pa后,充入保护气,得到圆形靶材;将预处理后的基板和靶材放入真空系统中,抽真空至1.0×10‑4Pa,基板温度为500~700℃,基板与靶材间距离为3~5cm;再用激光器发射激光,控制频率为3~4Hz,溅射1~3小时,制得要求厚度的薄膜;最后将薄膜在800~900℃下退火0.5~3h,制备出Ni50Mn34In16‑XCoX合金薄膜。本发明制备的合金薄膜的成分更精确,粗糙度更低,各向异性强,该合金薄膜韧性好,强度大,制备工艺简单,成本低,易于工业化生产。
搜索关键词: 合金薄膜 制备 基板 薄膜 靶材原料 激光脉冲 溅射沉积 抽真空 靶材 非自耗真空电弧炉 激光器发射激光 预处理 退火 结构通式 金属单质 控制频率 圆形靶材 真空系统 制备工艺 熔炼 保护气 粗糙度 电弧炉 放入 溅射 配比
【主权项】:
1.一种激光脉冲溅射沉积制备Ni‑Mn‑Co‑In磁性形状记忆合金薄膜的方法,其特征在于,所述Ni‑Mn‑Co‑In合金薄膜的结构通式为Ni50Mn34In16‑XCoX,通式中x=0、2、4、6;Ni‑Mn‑Co‑In合金薄膜按如下方法制备:按配比取纯度为99.99at.%Ni、99.95at.%Mn、99.95at.%Co、99.99at.%In金属单质作为靶材原料,将靶材原料放置于非自耗真空电弧炉熔内熔炼,电弧炉内抽真空至5×10‑3Pa后,充入氩气,得到圆形靶材;将预处理后的石英玻璃基板和靶材放入真空系统中,抽真空至1.0×10‑4Pa,基板温度为500~700℃,基板与靶材间距离为3~5cm;再用激光器发射激光,控制频率为3~4Hz,溅射1~3小时,制得要求厚度的薄膜;最后将薄膜在800~900℃下退火0.5~3h,制备出Ni50Mn34In16‑XCoX合金薄膜。
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