[发明专利]一种硅基异质结电池片及其TiNx阻挡层的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基异质结电池片及其TiNx阻挡层的制备方法，包括在N型硅衬底正面沉积本征非晶硅层及P型非晶硅薄膜层，反面沉积本征非晶硅层及N型非晶硅薄膜层的硅片；在所述P型非晶硅薄膜层及N型非晶硅薄膜层上沉积透明导电氧化物薄膜；在所述透明导电氧化物薄膜采用低温磁控溅射法沉积TiNx阻挡层。本发明增加了Cu与透明导电氧化物薄膜层的附着力，有利于后续异质结太阳能电池的封装，还可以有效的阻挡铜的扩散，非电极栅线区域的TiNx阻挡层易于被溶液腐蚀，且TiNx阻挡层电阻率低、厚度易控制。

主权项

一种硅基异质结电池片的制备方法，其特征在于，包括：在N型硅衬底正面沉积本征非晶硅层及P型非晶硅薄膜层，反面沉积本征非晶硅层及N型非晶硅薄膜层的硅片；在所述P型非晶硅薄膜层及N型非晶硅薄膜层上沉积透明导电氧化物薄膜；在所述透明导电氧化物薄膜上采用低温磁控溅射法沉积TiNx阻挡层；在所述TiNx阻挡层上溅射沉积铜种子层；覆盖掩膜层，将铜种子层曝光出电极栅线图，并用显影液将电极栅线图显现；在电极栅线图区域电镀上金属铜；去除掩膜层和电极栅线图区域外的铜种子层和TiNx阻挡层；所述低温磁控溅射法采用纯度为99％～99.99％的Ti靶；所述低温磁控溅射法在本底真空度为9*10‑3～1*10‑2Pa的真空腔内通入Ar和N2的混合气体，维持真空腔室工艺真空度在0.3Pa～0.8Pa，并保持功率密度1.5～3.5w/cm2、电流为15～18A的等离子体状态；所述Ar和N2的混合气体比例为1:3～1:1。