[发明专利]像素结构及具有此像素结构的像素阵列有效

专利信息
申请号: 201510440058.2 申请日: 2015-07-24
公开(公告)号: CN105182631B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 施志昌;龚欣玫;李书恩;田堃正;廖乾煌 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种像素结构及具有此像素结构的像素阵列,该像素结构包括控制元件、主像素电极、次像素电极。主像素电极与控制元件电连接,其中主像素电极具有多个主像素狭缝,且该些主像素狭缝的宽度为S。次像素电极与控制元件电连接且与主像素电极分离开来,且次像素电极包括第一电极图案以及第二电极图案。第一电极图案具有多个第一狭缝,且每一第一狭缝的宽度S1大于或等于主像素狭缝的宽度S。第二电极图案为不具有狭缝或是具有多个第二狭缝,其中每一第二狭缝的宽度S2小于主像素狭缝的宽度S。此外,包括上述像素结构的像素阵列也被提出。 1
搜索关键词: 狭缝 像素结构 主像素电极 主像素 次像素电极 控制元件 像素阵列 图案 第二电极 第一电极 电连接
【主权项】:
1.一种像素结构,与一扫描线以及一数据线电连接,该像素结构包括:控制元件;主像素电极,与该控制元件电连接,其中该主像素电极具有多个主像素狭缝,且该些主像素狭缝的宽度为S;以及次像素电极,与该控制元件电连接且与该主像素电极分离开来,该次像素电极包括:第一电极图案,该第一电极图案具有多个第一狭缝,且每一第一狭缝的宽度S1大于或等于该主像素狭缝的宽度S;第二电极图案,该第二电极图案为不具有狭缝或是具有多个第二狭缝,其中每一第二狭缝的宽度S2小于该主像素狭缝的宽度S;以及第三电极图案,该第三电极图案具有多个第三狭缝,且每一第三狭缝的宽度S3小于该第一狭缝的宽度S1。
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