[发明专利]半导体光检测元件

摘要

准备n‑型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)侧，形成具有比n‑型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n‑型半导体基板1进行热处理。

主权项

一种半导体光检测元件，其特征在于：具备：硅基板，具有由第1导电类型的半导体区域与第2导电类型的半导体区域所形成的pn结，在所述硅基板上，在该硅基板的一个主面侧形成有第1导电类型的累积层，并且在所述一个主面上的至少与所述pn结相对的区域上形成有使光的行进距离变长的不规则的凹凸，所述硅基板的所述一个主面上的与所述pn结相对的所述区域光学性露出，不规则的所述凹凸的高低差为0.5～10μm，不规则的所述凹凸中的凸部的间隔为0.5～10μm，形成有不规则的所述凹凸的所述一个主面为光入射面，从所述一个主面入射的光在所述硅基板内行进，在所述硅基板内行进的所述光由不规则的所述凹凸进行反射、散射或扩散，并且所述半导体光检测元件为背面入射型。