[发明专利]微机电构件和用于微机电构件的制造方法

摘要

本发明涉及一种MEMS构件，其具有：衬底，在该衬底中从功能性上侧起构造空腔；埋藏式多晶硅层，在该多晶硅层中松弛地安置有作为第一电极的多晶硅膜片，所述多晶硅膜片至少部分地覆盖该空腔；Epi多晶硅层，在该Epi多晶硅层中松弛地安置有作为第二电极的电极结构，该电极结构在该多晶硅膜片上间距一自由空间地布置；通道开口，该通道开口流动地连接该MEMS构件的外部环境和该空腔，在该埋藏式多晶硅层、该Epi多晶硅层和/或该衬底的空腔的内壁中构造有一个或多个通道，所述通道连接该通道开口和该空腔，并且通道宽度不大于5微米。

主权项

1.一种MEMS构件，其具有：‑衬底(1)，在该衬底中，从功能性的上侧起构造有空腔(50)；‑埋藏式多晶硅层(3)，在该多晶硅层中松弛地安置有多晶硅膜片(12)作为第一电极，所述多晶硅膜片至少部分地覆盖所述空腔(50)；‑Epi多晶硅层(2)，在该Epi多晶硅层中松弛地安置有导电结构(13)作为第二电极，该导电结构间隔了自由空间(7)地布置在所述多晶硅膜片(12)上方；和‑通道开口(20)，该通道开口使所述MEMS构件的外部环境与所述空腔(50)在流体方面连接，其中，在所述埋藏式多晶硅层(3)、所述Epi多晶硅层(2)和/或所述衬底(1)的空腔(50)的内壁中构造有一个或多个通道(14；51；52)，所述通道使所述通道开口(20)与所述空腔(50)连接，并且，所述通道的通道宽度不大于5微米，并且，所述通道(14；51；52)具有至少1:4的外观比例，其中，所述通道(14；51；52)狭窄且长地设计，从而阻止或者至少强烈地阻碍了液体、湿气和/或外来颗粒的进入。