[发明专利]一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法有效
| 申请号： | 201510436598.3 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105118790B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李安 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 张雯 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法，属于半导体器件制造设备领域。其特征在于，低温烧结步骤的具体工艺曲线为将利用纳米银膏黏着有碳化硅晶粒（4）的框架主体（1）放入真空焊接炉中，抽真空到50~55mbar时再充氮气，以10~12℃/min升温至150~155℃后保温2~4min，再连续升温至185~190℃后保温8~12min，再升温至270~275℃，抽真空充氮气至5bar~15bar保持10~15min确保粘接强度，然后进行冷却，即完成碳化硅晶粒（4）和框架主体（1）的焊接。本发明利用了两个焊接区（冷却区和加热区）配合特殊的温度曲线，而且焊接过程中加一定的压力，缩短了焊接时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 耐高温 封装 框架 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法，其特征在于，封装框架的制备步骤包括：晶粒切割‑丝网印刷‑固晶‑低温烧结‑铜丝键合‑塑封成型；其中低温烧结步骤的具体工艺曲线为：将利用纳米银膏黏着有碳化硅晶粒（4）的框架主体（1）放入真空焊接炉中，抽真空到50~55mbar时再充氮气，以10~12℃/min升温至150~155℃后保温2~4min，再连续升温至185~190℃后保温8~12min，再升温至270~275℃，抽真空充氮气至5bar~15bar保持10~15min，确保粘接强度，然后进行冷却，即完成碳化硅晶粒（4）和框架主体（1）的焊接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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