[发明专利]一种测试SRAM共享接触孔与多晶硅接触电阻的结构在审
| 申请号： | 201510435944.6 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105118794A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 葛雯;刘梅;马杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试SRAM共享接触孔与多晶硅接触电阻的结构，包括：SRAM存储单元阵列和边界单元；其中，边界单元用于将阱电位接出，同时作为SRAM存储单元阵列的环境；而且，SRAM存储单元阵列包括多个阵列单元，其中每个阵列单元包括按照左右镜像且上下镜像的方式排列的四个改型SRAM存储单元版图结构；每个改型SRAM存储单元版图结构包含且仅仅包含一个共享接触孔；而且在每个阵列单元中，每个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔所连接的第一多晶硅与第一侧的相邻镜像对称的另一个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔所连接的第二多晶硅朝着彼此弯曲，以使得所述第一多晶硅和所述第二多晶硅相互连接，并保证多晶硅弯曲部分完全处在P型注入区内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 sram 共享 接触 多晶 电阻 结构 | ||
【主权项】：
一种测试SRAM共享接触孔与多晶硅接触电阻的结构，其特征在于包括：SRAM存储单元阵列和边界单元；其中，所述边界单元用于将阱电位接出，同时作为SRAM存储单元阵列的环境；而且，所述SRAM存储单元阵列包括多个阵列单元，其中每个阵列单元包括按照左右镜像且上下镜像的方式排列的四个改型SRAM存储单元版图结构；每个改型SRAM存储单元版图结构包含且仅仅包含一个共享接触孔；在每个阵列单元中，每个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔所连接的第一多晶硅与第一侧的相邻镜像对称的另一个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔所连接的第二多晶硅朝着彼此弯曲，以使得所述第一多晶硅和所述第二多晶硅相互连接，并保证多晶硅弯曲部分完全处在P型注入区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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