[发明专利]进出气装置、具有进出气装置之热处理机台及进出气方法有效
申请号: | 201510435906.0 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN104979249B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 郭楠;赖朝荣;苏俊铭;倪立华 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种进出气装置,包括:气体盒,与外界气压源连通,并设置在工艺腔室之第一侧壁;第一气体分流板,与气体盒连通,并位于气体盒之紧邻工艺腔室的内侧,且间隔设置第一气体通孔;气体出口,设置在第二侧壁;第二气体分流板,与气体出口连通,并位于气体出口之紧邻工艺腔室的内侧,且间隔设置第二气体通孔。本发明将工艺气体输入至气体盒,并将工艺气体聚集,随后将工艺气体通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低,平缓、均匀的导入至晶圆的表面,最后通过设置在晶圆之异于第一气体分流板一侧的第二气体分流板和气体出口将残留气体导出,不仅气流平缓、分布均匀,而且对晶圆温度的影响一致、均匀性好,极大的提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 进出 装置 具有 热处理 机台 方法 | ||
【主权项】:
1.一种进出气装置,用于向工艺腔室内输入工艺气体,并排出残余气体,其特征在于,所述进出气装置包括:气体盒,与外界气压源连通,并设置在所述工艺腔室之第一侧壁上;第一气体分流板,与所述气体盒连通,并位于所述气体盒之紧邻工艺腔室的内侧且与所述气体盒连接,且在所述第一气体分流板上间隔设置第一气体通孔;气体出口,设置在工艺腔室之与所述第一侧壁呈面向设置的第二侧壁上;第二气体分流板,与所述气体出口连通,并位于所述气体出口之紧邻所述工艺腔室的内侧,且在所述第二气体分流板上间隔设置第二气体通孔;其中,所述工艺气体输入至所述气体盒并进行聚集,随后通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低,并通过所述第一气体通孔以及所述第一气体分流板的边缘与所述工艺腔室之间的缝隙进入所述工艺腔室内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造