[发明专利]基于AlGaN/GaNHEMT的欧姆接触电极的制造方法在审
| 申请号： | 201510432421.6 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106373874A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;陈建国;李杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘丹,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法，该方法包括在铝镓氮势垒层上方依次沉积氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层；对左右两侧区域的氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层分别进行刻蚀，形成欧姆刻蚀孔；依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对欧姆刻蚀孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；在欧姆刻蚀孔中，欧姆刻蚀孔上方及四乙氧基硅烷氧化层上方沉积欧姆电极金属层，对沉积了欧姆电极金属层的AlGaN/GaN HEMT进行退火处理；对四乙氧基硅烷氧化层上方的中间区域的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成欧姆接触电极。使欧姆电极金属层与铝镓氮势垒层之间形成了良好的欧姆接触，有效降低器件的欧姆接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 algan ganhemt 欧姆 接触 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于，包括：在铝镓氮势垒层上方依次沉积氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层；对左右两侧区域的氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层分别进行刻蚀，形成欧姆刻蚀孔；依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对所述欧姆刻蚀孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；在所述欧姆刻蚀孔中，所述欧姆刻蚀孔上方及所述四乙氧基硅烷氧化层上方沉积欧姆电极金属层；对沉积了所述欧姆电极金属层的所述AlGaN/GaN HEMT进行退火处理；对所述四乙氧基硅烷氧化层上方的中间区域的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成欧姆接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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