[发明专利]一种基于忆阻器的非易失查找表在审
| 申请号： | 201510430813.9 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106373607A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 龚小云 | 申请（专利权）人： | 龚小云 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于忆阻器的非易失查找表，包括使用9T2R非易失存储单元ReSRAM(Resistive-SRAM)作为编程点替代SRAM-FPGA中的SRAM，使之在兼容传统SRAM-FPGA电路架构的同时具备非易失性的特点；沿用传统SRAM-FPGA的查找表的电路结构，经过改进后使之成为掉电非易失的阻变型非易失查找表ReLUT；本发明的非易失查找表可以被配置成函数发生器模式、RAM模式、移位寄存器模式三种不同的模式；在兼容不同的CMOS工艺的同时，且无需引入高压器件，大大地节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 非易失 查找 | ||
【主权项】：
一种基于忆阻器的非易失查找表，包括：阻变非易失存储块、写译码器和读译码器；阻变非易失存储块由16个阻变非易失存储单元ReSRAM构成，并且能够在配置时被同一配置帧配置；写译码器在RAM模式时用来选中16个存储单元中的某一个以将数据写入；读译码器用来选中16个存储单元的某一个作为数据输出。
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