[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制备方法有效
| 申请号: | 201510429468.7 | 申请日: | 2015-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN105070841B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
| 发明(设计)人: | 王照奎;廖良生;龚秀 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 曹毅 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,制备步骤如下(1)衬底基片的清洗和臭氧处理;(2)空穴传输层的旋涂;(3)掺杂水的CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液的配置;(4)CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液的旋涂;(5)电子传输层的旋涂;(6)界面修饰层的旋涂;(7)金属阴极的蒸镀,即得到钙钛矿太阳能电池。本发明提供的制备方法得到的钙钛矿太阳能电池光电转化效率高、电池的稳定性好。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于制备步骤如下:(1)衬底基片的清洗和臭氧处理:将衬底基片用洗涤剂进行擦洗之后,再把衬底基片依次置于去离子水、乙醇、丙酮、去离子水中,每次超声清洗10‑15min,然后用氮气枪吹干,再将衬底基片放入臭氧机中进行臭氧处理10‑20min ;(2)空穴传输层的旋涂:在臭氧处理过后的衬底基片表面旋涂一层空穴传输层,控制转速为3000‑5000rpm、时间为40s,然后进行退火处理,控制退火温度为60‑150℃,退火时间为20‑60 min,得到基片A ;(3)掺杂水的CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液的配置:将NH 3CH3I 与PbI2以摩尔比为3:1 的比例混合溶解在N,N‑ 二甲基甲酰胺溶剂中,得到CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液,然后掺杂入不同体积比例的水,其掺杂入水体积比例为1‑10%,在常温下搅拌24h 后,用0.45μm 的有机系过滤头进行过滤,即得掺杂水的CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液;(4)CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液的旋涂:将基片A 转移至手套箱,控制转速为3000‑5000r/min,旋涂时间为30‑60s,在其上表面旋涂CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液,再转入过渡舱内,抽气干燥20‑60min,然后置于加热板上进行退火,退火方式为梯度退火,起点温度从60℃开始,之后每10min 增加10℃,增加到100°后保温退火60‑80min,待CH3NH3PbI3‑xClx前驱体溶液完全结晶后,转移至玻璃培养皿中冷却,得到载有钙钛矿薄膜的基片B ;(5)电子传输层的旋涂:于手套箱中在基片B 的上表面旋涂一层电子传输层,控制旋涂速度为2000‑3000 rpm,旋涂时间为40s,得到基片C ;(6)界面修饰层的旋涂:于手套箱中将界面修饰材料的溶液以4000‑6000rpm 的转速旋涂在基片C 的上表面,旋涂时间40s‑60s,得到基片D ;(7)金属阴极的蒸镀:将基片D 转移至热蒸镀系统,在真空度≥ 1×10‑4Pa 条件下蒸镀一层银电极,银电极的厚度为100‑120nm,即得到钙钛矿太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510429468.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种提高超声波雷达探测距离电路
- 下一篇:一种地表冻融状态的监测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





